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LIA135S、LIA135STR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LIA135S LIA135STR

描述 光隔离放大器 Low Voltge Optically ISO Error AmplifierOptoCoupler Transistor 1CH 1.8V/2.5V/3.3V/5V/9V 8Pin PDIP SMD T/R

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 DIP-8 DIP-8

电路数 1 1

耗散功率 145 mW 145 mW

正向电压(Max) 1.4 V 1.4 V

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

通道数 - 1

正向电压 - 1.4 V

增益频宽积 - 10 kHz

隔离电压 - 3750 Vrms

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V

输入偏置电流 - 340 nA

长度 9.65 mm 9.65 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm

高度 4.45 mm 3.3 mm

封装 DIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free