VN3205P-G、VQ1000J、VQ1001P对比区别

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型号 VN3205P-G VQ1000J VQ1001P

描述 MOSFET Power N-CHNL MOSFET ENHANCEMENT-MODEMOSFET QD 60V 0.225ATrans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14Pin SBCDIP

数据手册 ---

制造商 Supertex (超科) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 14

封装 PDIP-14 PDIP-14 DIP-14

漏源极电阻 - - 1.00 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 2 W

漏源极电压(Vds) - - 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 3.00 A

输入电容(Ciss) - - 110pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

通道数 1 - -

封装 PDIP-14 PDIP-14 DIP-14

长度 - 19.3 mm -

宽度 - 7.11 mm -

高度 - 5.08 mm -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead