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CY7C1423AV18-267BZXC、UPD44325182F5-E50-EQ2、IS61QDB22M18-250M3L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1423AV18-267BZXC UPD44325182F5-E50-EQ2 IS61QDB22M18-250M3L

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 165Pin FBGA TraySRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin BGADDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.89 V (max)

供电电流 - - 700 mA

时钟频率 - - 250MHz (max)

位数 - - 18

存取时间 - - 0.45 ns

内存容量 - - 36000000 B

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.71V ~ 1.89V

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

高度 0.89 mm - -

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

ECCN代码 - - EAR99