FDS6375、NDS8434、IRF6217PBF对比区别

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型号 FDS6375 NDS8434 IRF6217PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6375  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -20 V, 24 mohm, -4.5 V, -700 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS8434  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -700 mVTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管P沟道MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -150 V

额定电流 -8.00 A -6.70 A -700 mA

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.014 Ω 0.026 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 2.69 nF 2.33 nF -

栅电荷 26.0 nC 80.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -150 V

漏源击穿电压 -400 V -20.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A -6.50 A -700 mA

上升时间 9 ns - 7.20 ns

输入电容(Ciss) 2694pF @10V(Vds) 2330pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

下降时间 57 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定功率 - - 2.5 W

产品系列 - - IRF6217

长度 5 mm - -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -