CY62137FV30LL-55ZSXE、CY62137FV30LL-55ZSXET、IS62WV12816BLL-55TLI对比区别

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型号 CY62137FV30LL-55ZSXE CY62137FV30LL-55ZSXET IS62WV12816BLL-55TLI

描述 CY62137FV30 系列 2 Mb (128 K x 16) 2.2 - 3.6 V 55 ns 静态RAM - TSOP-44CY62137FV30 系列 2 Mb (128 K x 16) 2.2 - 3.6 V 55 ns 静态RAM - TSOP-44RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

供电电流 25 mA - -

位数 16 16 16

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.2 V -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

内存容量 - - 250000 B

长度 18.415 mm - 18.52 mm

宽度 10.16 mm - 10.29 mm

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

高度 - - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a EAR99