FDP80N06、PHP52N06T,127、STP80NF06对比区别
型号 FDP80N06 PHP52N06T,127 STP80NF06
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-220AB N-CH 60V 52ASTMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 10 mΩ - 0.0065 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 176 W 120 W 300 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 80A 52A 80.0 A
上升时间 259 ns 74 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 3190pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 176 W 120 W 300 W
下降时间 113 ns 40 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 176W (Tc) 120W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 80.0 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 4.83 mm - 4.6 mm
高度 16.51 mm - 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17