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MS1000、SD1407、BLW76对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS1000 SD1407 BLW76

描述 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, FM-4

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Technology ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - M174 -

耗散功率 - 270 W -

增益频宽积 - 30 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 24.89 mm -

宽度 - 12.83 mm -

高度 - 7.11 mm -

封装 - M174 -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -