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2SC5866TLQ、FSB560、2SC5866TLR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC5866TLQ FSB560 2SC5866TLR

描述 NPN 功率晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM SemiconductorNPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。中等功率晶体管( 60V , 2A ) Medium power transistor (60V, 2A)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 75 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

额定功率 500 mW - 0.5 W

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W 0.5 W 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @100mA, 2V 100 @500mA, 2V 120

最大电流放大倍数(hFE) 390 300 390

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

增益频宽积 - 75 MHz -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 120 - -

长度 3 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.8 mm 1.4 mm 1.60 mm

高度 0.95 mm 0.94 mm 0.85 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -