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IRF1104、IRF1104PBF、SUM70N03-09CP-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1104 IRF1104PBF SUM70N03-09CP-E3

描述 TO-220AB N-CH 40V 100AINFINEON  IRF1104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 9 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin(2+Tab) TO-263

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A -

上升时间 114 ns 114 ns -

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

下降时间 19 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 170000 mW 170W (Tc) 3.75W (Ta), 93W (Tc)

耗散功率 - 170 W 3.75W (Ta), 93W (Tc)

额定功率 - 170 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.009 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 2900 pF -

额定功率(Max) - 170 W -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-263-3

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 8.77 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -