FDPF5N50NZ、FDPF8N50NZ、NDF05N50ZG对比区别
型号 FDPF5N50NZ FDPF8N50NZ NDF05N50ZG
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeON SEMICONDUCTOR NDF05N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 40.3 W 28 W
阈值电压 5 V 5 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 4.5A 8A 5.00 A
上升时间 - 34 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 735pF @25V(Vds) 632pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 40.3 W 30 W
下降时间 - 27 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 40.3W (Tc) 30W (Tc)
长度 10.16 mm 10.16 mm 10.63 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.9 mm
高度 15.87 mm 15.87 mm 16.12 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 NLR NLR -