FQT2P25、FQT2P25TF、FQT2P25D84Z对比区别

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型号 FQT2P25 FQT2P25TF FQT2P25D84Z

描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFETQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

额定电压(DC) - -250 V -

额定电流 - -550 mA -

漏源极电阻 - 4.00 Ω -

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 - 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.55A 550 mA -

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.8 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -