IXFH12N90P、IXFV12N90P、APT1001RBLC对比区别

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型号 IXFH12N90P IXFV12N90P APT1001RBLC

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 VPLUS N-CH 900V 6APOWER MOS VI 1000V 11A 1Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-247-3 TO-220-3 -

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 380 W 380W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V -

连续漏极电流(Ids) 6A 6A -

输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 380W (Tc) 380W (Tc) -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.9 Ω - -

阈值电压 3.5 V - -

上升时间 34 ns - -

下降时间 68 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -