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PBSS5230QA、PBSS5230QAZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5230QA PBSS5230QAZ

描述 NXP  PBSS5230QA  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -2 A, 60 hFEDFN-D PNP 30V 2A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 XDFN-3 XDFN-3

针脚数 3 -

极性 PNP PNP

耗散功率 325 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @2A, 2V 60 @2A, 2V

额定功率(Max) 325 mW 325 mW

直流电流增益(hFE) 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

封装 XDFN-3 XDFN-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 -