BSC030N04NSG、BSZ023N04LSATMA1对比区别

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型号 BSC030N04NSG BSZ023N04LSATMA1

描述 40V,100A,N沟道功率MOSFETTSDSON N-CH 40V 23A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL

通道数 - 1

漏源极电阻 - 2.4 mΩ

极性 - N-CH

耗散功率 - 69 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) - 40 V

漏源击穿电压 - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 23A

上升时间 - 38 ns

输入电容(Ciss) - 2630pF @20V(Vds)

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 2.1W (Ta), 69W (Tc)

长度 - 3.3 mm

宽度 - 3.3 mm

高度 - 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TSDSON-8-FL

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free