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SM8S26A-TP、SM8S26HE3/2E、SM8S26-E3/2D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S26A-TP SM8S26HE3/2E SM8S26-E3/2D

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 6.6kW Automotive 2Pin(1+Tab) DO-218AB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S26AHE3_A/KTVS 8W 26V 10% DO-218AB

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB

引脚数 2 - -

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 28.9 V 28.9 V 28.9 V

钳位电压 42.1 V 46.6 V -

测试电流 5 mA - -

击穿电压 28.9 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -

工作电压 - 26 V -

击穿电压 - 35.3 V -

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free