IRF7324、IRF7324TRPBF、IRF7324PBF对比区别

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型号 IRF7324 IRF7324TRPBF IRF7324PBF

描述 SOIC P-CH 20V 9AINFINEON  IRF7324TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9 A, -20 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1 VINFINEON  IRF7324PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9 A, -20 V, 18 mohm, -4.5 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.018 Ω 0.018 Ω

极性 P-CH Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 1 V 1 V

输入电容 - 2940 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - -20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 9A

上升时间 36 ns 36 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 2940pF @15V(Vds) 2940pF @15V(Vds) 2940pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 190 ns 190 ns 190 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W

通道数 - - 2

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -9.00 A - -

产品系列 IRF7324 - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17