STB140NF75T4、BUK664R8-75C,118、IRF3808SPBF对比区别
型号 STB140NF75T4 BUK664R8-75C,118 IRF3808SPBF
描述 STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V - 75.0 V
额定电流 120 A - 106 A
漏源极电阻 0.0065 Ω - 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 263 W 200 W
产品系列 - - IRF3808S
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 - - 5310pF @25V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V - 75 V
连续漏极电流(Ids) 120 A - 106 A
上升时间 140 ns 65 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 263 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
下降时间 90 ns 141 ns -
耗散功率(Max) 310W (Tc) 263W (Tc) -
长度 10.4 mm - 10.67 mm
高度 4.6 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 9.35 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -