BZD27C8V2P-GS08、BZT52H-C8V2,115、BZD27C8V2P-E3-08对比区别

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型号 BZD27C8V2P-GS08 BZT52H-C8V2,115 BZD27C8V2P-E3-08

描述 VISHAY  BZD27C8V2P-GS08  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °CNXP  BZT52H-C8V2,115  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CZener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Vishay Intertechnology

分类 齐纳二极管齐纳二极管

封装 DO-219AB SOD-123F DO-219AB

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 DO-219AB SOD-123F DO-219AB

长度 2.9 mm - -

宽度 1.9 mm - -

高度 0.98 mm 1.2 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

击穿电压 9.60 V - -

针脚数 2 2 -

耗散功率 800 mW 375 mW -

测试电流 100 mA 5 mA -

稳压值 8.2 V 8.2 V -

正向电压(Max) 1.2V @200mA - -

额定功率(Max) 800 mW 375 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率(Max) - 830 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 4.7 mV/K -