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1N746A-1、JAN1N746A、1N746A-1E3/TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N746A-1 JAN1N746A 1N746A-1E3/TR

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 3.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-204AH

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

测试电流 20 mA - 20 mA

稳压值 3.3 V - 3.3 V

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率 - - 500 mW

封装 DO-35 DO-35 DO-204AH

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 - -