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SMBJ8.0A-E3/5B、SMBJ8.0A-M3/5B、SMBJ8.0-E3/5B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ8.0A-E3/5B SMBJ8.0A-M3/5B SMBJ8.0-E3/5B

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% TolESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% TolESD 抑制器/TVS 二极管 600W 8.0V 10% Uni

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA-2 DO-214AA-2 DO-214AA-2

工作电压 8 V - 8 V

击穿电压 8.89 V - 8.89 V

耗散功率 1 W 1 W 1 W

钳位电压 13.6 V - 15 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V 8.89 V 8.89 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

封装 DO-214AA-2 DO-214AA-2 DO-214AA-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free