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BUZ60、MTP5N40E、IRF730PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ60 MTP5N40E IRF730PBF

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTrans MOSFET N-CH Si 400V 5A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 - -

封装 TO-220 - TO-220-3

安装方式 - - Through Hole

上升时间 50 ns - 15 ns

输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) - 700pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns - 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW - 74W (Tc)

漏源极电阻 - - 1 Ω

耗散功率 - - 74000 mW

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) - - 400 V

封装 TO-220 - TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -