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M36W108AB120ZN1T、M36W108AB120ZN5T、M36W108AT100ZN5T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36W108AB120ZN1T M36W108AB120ZN5T M36W108AT100ZN5T

描述 Memory Circuit, 1MX8, PBGA48, LGA-488兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product8兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

数据手册 ---

制造商 Numonyx ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 EEPROM芯片

基础参数对比

封装 VLGA VLGA VLGA

封装 VLGA VLGA VLGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown