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BZV85-C33、BZX85C33-TAP、BZX85-C33对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C33 BZX85C33-TAP BZX85-C33

描述 NXP  BZV85-C33  单管二极管 齐纳, 33 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85-C33  单管二极管 齐纳, 33 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

额定电压(DC) - - 33.0 V

额定功率 - 1.3 W 1.00 W

针脚数 2 2 2

耗散功率 1.3 W 1.3 W 1 W

稳压值 33 V 33 V 33 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

容差 - ±5 % -

击穿电压 - 33.0 V -

测试电流 - 8 mA -

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - 4.1 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -