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CY62158EV30LL-45BVXI、IS61WV10248BLL-10MLI、IS62WV10248BLL-55BI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62158EV30LL-45BVXI IS61WV10248BLL-10MLI IS62WV10248BLL-55BI

描述 CY62158EV30 系列 8 Mb (1024 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-488Mb, High-Speed, Async, 1Mb x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS静态随机存取存储器 8Mb 1Mbx8 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 BGA-48 TFBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 25 mA 100 mA -

位数 8 8 8

存取时间 45 ns 10 ns 55 ns

存取时间(Max) 45 ns 10 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

内存容量 - - 8000000 B

针脚数 48 - -

封装 VFBGA-48 BGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - EAR99