NTB45N06LT4G、STB55NF06LT4、STB55NF06T4对比区别

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型号 NTB45N06LT4G STB55NF06LT4 STB55NF06T4

描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS  STB55NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 45.0 A 55.0 A 50.0 A

额定功率 - 95 W -

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.023 Ω 0.014 Ω 0.015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 95 W 110 W

阈值电压 1.8 V 1.7 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 220 A 50.0 A

上升时间 341 ns 100 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.4 W 95 W 110 W

下降时间 158 ns 20 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.4 W 95W (Tc) 110W (Tc)

长度 10.29 mm 10.75 mm 10.4 mm

宽度 9.65 mm 10.4 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99