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IRF6898MTR1PBF、IRF6898MTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6898MTR1PBF IRF6898MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 35AINFINEON  IRF6898MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 213 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.6 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET DirectFET-MX

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 78 W 78 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35A

上升时间 46 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 5435pF @13V(Vds) 5435pF @13V(Vds)

下降时间 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 78W (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc)

额定功率 - 78 W

通道数 - 1

针脚数 - 7

阈值电压 - 1.6 V

长度 6.35 mm -

宽度 5.05 mm 5.05 mm

高度 0.7 mm -

封装 Direct-FET DirectFET-MX

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99