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1N4106-TP、JANTXV1N4106D-1、JANS1N4106-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4106-TP JANTXV1N4106D-1 JANS1N4106-1

描述 DO-35 11V 0.5W(1/2W)Diode Zener 12V 0.5W(1/2W) Do35Zener Single 12V 0.5W(1/2W) 2Pin

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - -

测试电流 0.25 mA - -

稳压值 11 V 12 V -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -