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1N6169US、JANTXV1N6169US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6169US JANTXV1N6169US

描述 ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVSTvs Diode 98.8vwm 187.74vc Cpkg

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 -

封装 C-MELF SQ-MELF

额定功率 - -

击穿电压 - -

钳位电压 - -

测试电流 - -

脉冲峰值功率 - 1500 W

最小反向击穿电压 - 117.33 V

封装 C-MELF SQ-MELF

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)