ICTE8CHE3_A/C、1N6382-E3/51、1N6382-E3/54对比区别

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型号 ICTE8CHE3_A/C 1N6382-E3/51 1N6382-E3/54

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,8.0V 10% AEC-Q101 QualifiedESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 8.0V Bidirect AEC-Q101 QualifiedDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201-2 DO-201-2 DO-201AA

工作电压 8 V 8 V -

击穿电压 9.4 V 9.4 V -

耗散功率 6.5 W - -

钳位电压 11.6 V 11.6 V -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 DO-201-2 DO-201-2 DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free