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PDTA114EU,115、PDTA114EU,135、BCR 183T E6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA114EU,115 PDTA114EU,135 BCR 183T E6327

描述 NXP  PDTA114EU,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFESC-70 PNP 50V 100mATRANS PREBIAS PNP 0.25W(1/4W) SC75

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-75

极性 PNP PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SC-75

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -