BSP030、BSP030,115、BSP030T/R对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSP030 BSP030,115 BSP030T/R

描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorNXP  BSP030,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 VPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

封装 SC-73 TO-261-4 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.02 Ω -

耗散功率 - 8.3 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容(Ciss) - 770pF @24V(Vds) -

额定功率(Max) - 8.3 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 8.3W (Tc) -

封装 SC-73 TO-261-4 -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -