IRF7807、IRF7807A、IRF7807TRPBF对比区别

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型号 IRF7807 IRF7807A IRF7807TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 8.3ASOIC N-CH 30V 8.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.017 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.30 A 8.30 A 8.3A

上升时间 17 ns 17.0 ns 17 ns

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 6 ns - 6 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 13.0 A 6.60 A -

产品系列 IRF7807 IRF7807A -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free