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MT47H512M4EB-3:C、MT47H512M4EB-187E:C、MT47H512M4EB-25E:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H512M4EB-3:C MT47H512M4EB-187E:C MT47H512M4EB-25E:C

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 512Mx4 1.8V 60Pin FBGA TrayDRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 512Mx4 1.8V 60Pin FBGA TrayDDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 60

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

位数 - - 4

存取时间 - - 400 ps

存取时间(Max) - - 0.4 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-60 FBGA-60 FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free