1N758D、JAN1N758D-1、1N758D-1对比区别
型号 1N758D JAN1N758D-1 1N758D-1
描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-35 DO-35
耗散功率 500 mW - -
稳压值 10 V 10 V -
容差 - ±1 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
额定功率(Max) - 500 mW -
封装 DO-35 DO-35 DO-35
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Bulk
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
RoHS标准 - -
含铅标准 - -