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AD746JR、AD746JRZ、TL072IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD746JR AD746JRZ TL072IDT

描述 双路精密, 500 ns建立, BiFET运算放大器 Dual Precision, 500 ns Settling, BiFET Op AmpANALOG DEVICES  AD746JRZ  运算放大器, 双路, 13 MHz, 2个放大器, 75 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚TL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - 60 mA

供电电流 7 mA 7 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 72 dB 72 dB 80 dB

带宽 - 13 MHz 4 MHz

转换速率 75.0 V/μs 75.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 13 MHz 13 MHz 4 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 3 mV

输入偏置电流 110 pA 110 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 13 MHz 13 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 72 dB 72 dB 80 dB

电源电压 - - 6V ~ 36V

电源电压(Max) - 18 V 36 V

电源电压(Min) - 4.5 V 6 V

耗散功率 0.5 W 0.5 W -

输入电容 5.50 pF 5.50 pF -

输入阻抗 250 GΩ 250 GΩ -

3dB带宽 13 MHz 13 MHz -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

军工级 Yes Yes -

ECCN代码 - - EAR99