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IRFS3004PBF、IRFS3004TRLPBF、IRF2804SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRF2804SPBF

描述 INFINEON  IRFS3004PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,InfineonINFINEON  IRF2804SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 380 W - 330 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0014 Ω 0.0014 Ω 0.002 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 380 W 380 W 300 mW

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 340A 340A 270A

上升时间 220 ns 220 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 9200pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)

下降时间 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380000 mW 380W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 - 9200 pF 6450pF @25V

漏源击穿电压 - 40.0 V 40 V

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.25 mm 11.3 mm 9.25 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17