MS2211、MS2213、PH0912-35对比区别
描述 射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS射频与微波晶体管特产航空电子/ JTIDS应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONSL BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) TE Connectivity (泰科)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Chassis Screw -
引脚数 4 4 -
封装 M-222 - -
耗散功率 25000 mW 75 W -
击穿电压(集电极-发射极) 48 V 55 V -
增益 9.3 dB 7.8 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @250mA, 5V 15 @1A, 5V -
额定功率(Max) 25 W 75 W -
工作温度(Max) 250 ℃ 250 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 25000 mW 75000 mW -
频率 - 1215 MHz -
高度 5.84 mm - -
封装 M-222 - -
工作温度 250℃ (TJ) 250℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -