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MS2211、MS2213、PH0912-35对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS2211 MS2213 PH0912-35

描述 射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS射频与微波晶体管特产航空电子/ JTIDS应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONSL BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) TE Connectivity (泰科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw -

引脚数 4 4 -

封装 M-222 - -

耗散功率 25000 mW 75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 48 V 55 V -

增益 9.3 dB 7.8 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @250mA, 5V 15 @1A, 5V -

额定功率(Max) 25 W 75 W -

工作温度(Max) 250 ℃ 250 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 25000 mW 75000 mW -

频率 - 1215 MHz -

高度 5.84 mm - -

封装 M-222 - -

工作温度 250℃ (TJ) 250℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -