IRFPS37N50APBF、SIHS36N50D-E3对比区别

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型号 IRFPS37N50APBF SIHS36N50D-E3

描述 VISHAY  IRFPS37N50APBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 SUPER-247 TO-274

额定功率 446 W -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.13 Ω 0.105 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 446 W 446 W

阈值电压 2 V 3 V

输入电容 5579pF @25V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 400 V -

连续漏极电流(Ids) 36.0 A -

输入电容(Ciss) 5579pF @25V(Vds) 3233pF @100V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 446000 mW 446 W

长度 16.1 mm 16.1 mm

高度 20.8 mm 20.8 mm

封装 SUPER-247 TO-274

宽度 - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -