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IXTH48P20P、IXTT48P20P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH48P20P IXTT48P20P

描述 TO-247AD P-CH 200V 48ATrans MOSFET P-CH 200V 48A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

耗散功率 462 W 462 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 46 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 462 W

下降时间 27 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 462W (Tc) 462W (Tc)

极性 P-CH -

连续漏极电流(Ids) 48A -

长度 - 16.05 mm

宽度 - 14 mm

高度 - 5.1 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR -