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BZV55-B6V8、BZV55-B6V8,115、BZV55-B6V8135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B6V8 BZV55-B6V8,115 BZV55-B6V8135

描述 齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP SemiconductorsNXP  BZV55-B6V8,115  单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C6.8V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-80 SOD-80 -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW - -

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

极性 - NPN -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

高度 3.7 mm - -

封装 SOD-80 SOD-80 -

温度系数 3 mV/℃ 3 MV/K -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -