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IRLR3715Z、IRLR3715ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3715Z IRLR3715ZPBF

描述 DPAK N-CH 20V 49AINFINEON  IRLR3715ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 20 V, 11 mohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 49.0 A -

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 40W (Tc) 40 W

产品系列 IRLR3715Z -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 49.0 A 49A

上升时间 13.0 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 810pF @10V(Vds) 810pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc)

额定功率 - 40 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.011 Ω

阈值电压 - 2.1 V

输入电容 - 810pF @10V

额定功率(Max) - 40 W

下降时间 - 4.3 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17