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CY7C1518AV18-250BZXI、CY7C1518KV18-250BZI、CY7C1518KV18-250BZXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1518AV18-250BZXI CY7C1518KV18-250BZI CY7C1518KV18-250BZXI

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1518AV18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-16572兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 - 250 MHz 250 MHz

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a