IXFN200N10P、IXFN280N085、IXFN150N10对比区别

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型号 IXFN200N10P IXFN280N085 IXFN150N10

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 VSOT-227B N-CH 85V 280ATrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis - Chassis

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 150 A

耗散功率 680 W 700 W 520 W

漏源极电压(Vds) 100 V 85 V 100 V

上升时间 35 ns 95 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 680 W 700 W 520 W

下降时间 90 ns 33 ns 60 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 680W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0075 Ω 4.4 mΩ -

极性 N-Channel N-CH -

漏源击穿电压 - 85 V -

连续漏极电流(Ids) 200 A 280A -

针脚数 4 - -

阈值电压 5 V - -

反向恢复时间 150 ns - -

长度 - 38.23 mm 38.23 mm

宽度 - 25.42 mm 25.42 mm

高度 - 9.6 mm 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -