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BZW04P31B、P4KE36CHE3/54、P4KE39A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZW04P31B P4KE36CHE3/54 P4KE39A

描述 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-P4KE36CAHE3/73瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER

数据手册 ---

制造商 Galaxy Semi-Conductor Vishay Semiconductor (威世) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - DO-204AL-2 DO-41

工作电压 - 29.1 V -

击穿电压 - 32.4 V -

钳位电压 - 52 V -

脉冲峰值功率 - 400 W -

最小反向击穿电压 - 32.4 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - DO-204AL-2 DO-41

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -