IRFIZ24N、IRFIZ24NPBF、IRFIZ24对比区别

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型号 IRFIZ24N IRFIZ24NPBF IRFIZ24

描述 TO-220FP N-CH 55V 14AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 13.0 A - -

漏源极电阻 70.0 mΩ (max) 0.07 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

产品系列 IRFIZ24N - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14A -

上升时间 34.0 ns 34 ns -

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 29 W 29 W -

额定功率 - 26 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 29 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 370 pF -

下降时间 - 27 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 29W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 - 10.75 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.8 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -