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IRFR3709ZTRLPBF、IRFR3709ZTRPBF、IRFR3709ZTRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 30 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.8 VN沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5VDPAK N-CH 30V 86A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 79 W 79 W

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0052 Ω 0.0052 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 79 W 79 W 79W (Tc)

阈值电压 1.8 V 1.8 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W -

下降时间 3.9 ns 3.9 ns 3.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)

额定电流 86.0 A - -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅