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1N821A、JANTX1N821-1、JAN1N821-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N821A JANTX1N821-1 JAN1N821-1

描述 Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.01 TcJANTX 系列 6.2 V 2 uA 500 mW 通孔 齐纳 参考 二极管 - DO-35温度补偿齐纳二极管基准二极管 TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 分立器件齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35-2 DO-35-2

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 - 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 - 6.2 V 7.5 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 5.08 mm 4.44 mm

封装 - DO-35-2 DO-35-2

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -