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BSP75、TS117、BTS117对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP75 TS117 BTS117

描述 BSP75 N沟道MOSFET 55V 700mA/0.7A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP75 低噪声增益控制放大器Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 10A, MOS, PSFM3INFINEON  BTS117..  场效应管, MOSFET, LOGIC SMART SWITCH TO-220 [ROHS Substitute: 1156427]

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 SOT-223 - TO-220-3

电源电压(DC) - - 1.30V (min)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 3.50 A

输出接口数 - - 1

输入电压(DC) - - 60.0 V

输出电流 - - 3.5 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 100 mΩ

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 50000 mW

漏源极电压(Vds) - - 60 V

连续漏极电流(Ids) - - 3.50 A

输出电流(Max) - - 3.5 A

输出电流(Min) - - 3.5 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 50000 mW

电源电压 - - 2.2V ~ 10V

电源电压(Max) - - 10 V

电源电压(Min) - - 1.3 V

输入电压 - - 60 V

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

封装 SOT-223 - TO-220-3

厚度 - - 4.40 mm

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99