IS62WV1288DBLL-45QLI、IS62WV1288DBLL-45TLI、IS62WV1288DBLL-45HLI对比区别

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型号 IS62WV1288DBLL-45QLI IS62WV1288DBLL-45TLI IS62WV1288DBLL-45HLI

描述 INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS62WV1288DBLL-45QLI  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 45NS, 32SOPSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 128K x 8 45ns 32Pin TSOP-IRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOIC-32 TSOP-32 TFSOP-32

电源电压(DC) 2.30V (min) - 2.30V (min)

针脚数 32 - -

位数 8 8 8

存取时间 45 ns 45 ns 45 ns

内存容量 125000 B - 125000 B

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3.6V 2.3V ~ 3.6V 2.3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.3 V 2.3 V 2.3 V

供电电流 - - 8 mA

封装 SOIC-32 TSOP-32 TFSOP-32

长度 - - 18.5 mm

宽度 - - 8.2 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99