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GS882Z18CB-200、GS882Z18CGB-200I、GS882Z18CGB-200对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS882Z18CB-200 GS882Z18CGB-200I GS882Z18CGB-200

描述 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9MSRAM Chip Sync Dual 2.5V/3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns/3ns 119Pin F-BGA Tray静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-119 BGA BGA-119

存取时间 6.5 ns - 6.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

封装 BGA-119 BGA BGA-119

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃